研究助成
科学研究費補助金(代表分)
令和3年度～令和6年度基盤研究A 「界面層によるキャリア再結合抑制効果を用いたガラス上シリサイド半導体高効率太陽電池」
令和3年度～令和5年度基盤研究B 「狭ギャップ半導体の量子輸送制御による高環境調和型熱電変換シートの開発」
令和元年度～令和5年度国際共同研究(B) 「電流駆動超高速磁壁移動を実現する窒化物スピントロニクス材料」
平成31年度～令和2年度挑戦的研究(萌芽) 「垂直磁気異方性を有する窒化物スピントロニクス材料の探索」
平成30年度～令和2年度挑戦的研究(萌芽) 「フレキシブル全固体薄膜二次電池の実現に向けたグラファイト負極の革新合成技術」
平成30年度～令和2年度基盤研究A 「組成比制御によるシリサイド半導体の伝導型制御とガラス上の高効率ホモ接合太陽電池」
平成29年度～令和2年度若手研究A 「III-V属化合物薄膜のモノライク・低温合成技術の構築とユビキタス太陽電池の創製」
平成29年度～平成30年度挑戦的研究(萌芽) 「シリサイド半導体への酸素添加によるSiタンデム太陽電池用トップセルの開拓」
平成27年度～平成29年度基盤研究A 「結晶Siタンデム型太陽電池に向けたSi系ワイドギャップ新材料の探索
平成26年度～平成28年度若手研究A 「プラスチックを基材とした高効率・多接合型薄膜太陽電池のボトムセル技術」
平成26年度～平成28年度挑戦的萌芽研究 「シリコンLST融合型ゲルマニウム・ナノワイヤの創製と超高速トランジスタの実証」
平成26年度～平成28年度基盤研究A(分担) 「強誘電体障壁強磁性トンネル接合素子の開発と電界効果によるスピン輸送制御」
平成26年度～平成27年度挑戦的萌芽研究 「新規シリサイド半導体の熱電物性の探索」
平成21年度～平成23年度基盤研究B 「マイクロチャネルエピタキシーによる赤外線受光用大粒径鉄シリサイド膜」
平成19年度～平成22年度特定領域研究 「スピン流の創出と制御「シリコンベース素子を用いたスピン注入効率の最適化」
平成18年度～平成20年度基盤研究B 「シリサイド半導体の禁制帯幅拡大と伝導型制御による高効率太陽電池」
平成18年度～平成19年度萌芽研究 「アルカリ土類金属を用いたシリコンベース狭ギャップ半導体」
平成15年度～平成16年度萌芽研究 「アルカリ土類金属を用いた新しいシリコン系半導体の探索」
平成13年度～平成14年度奨励研究A 「半導体鉄シリサイドを用いた光配線用赤外発光ダイオードの研究開発」
平成12年度～平成14年度基盤研究B 「半導体鉄シリサイドを用いた室温動作赤外発光ダイオードの作製」
平成11年度～平成12年度奨励研究A 「直接遷移型半導体 β-FeSi2を用いたSi上発光ダイオードの研究開発」
平成9年度～平成11年度特定領域研究A 「シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究」
平成9年度～平成10年度奨励研究A 「直接遷移型半導体 β-FeSi2を用いたシリコン系発光素子の研究開発」
財団助成金等
令和元年度JST戦略的創造研究推進事業（さきがけタイプ）
平成30年度JST戦略的創造研究推進事業（さきがけタイプ）
平成29年度JST未来社会創造事業（FS）
平成29年度JST戦略的創造研究推進事業（さきがけタイプ）
平成27年度JST戦略的創造研究推進事業（CRESTタイプ, 研究代表者）
平成26年度JST戦略的創造研究推進事業（CRESTタイプ, 研究代表者）
平成25年度JST戦略的創造研究推進事業（CRESTタイプ, 研究代表者）
平成24年度JST戦略的創造研究推進事業（CRESTタイプ, 研究代表者）
平成23年度JST戦略的創造研究推進事業（CRESTタイプ, 研究代表者）
平成22年度JST戦略的創造研究推進事業（CRESTタイプ, 研究代表者）
平成21年度JST戦略的創造研究推進事業（さきがけタイプ）
平成20年度JST戦略的創造研究推進事業（さきがけタイプ）
平成19年度(財)東電記念科学技術研究所助成
日立電線
平成18年度(財)日本板硝子材料工学助成会(平成18～19)
(財)東電記念科学技術研究所助成
JST戦略的創造研究推進事業（さきがけタイプ）
日立電線
平成17年度(財)東電記念科学技術研究所助成
平成14年度NEDO産業技術研究助成(平成14～16年度)
カシオ科学技術研究助成
泉科学技術振興財団
平成13年度三菱マテリアル
平成12年度村田学術振興財団研究助成
吉川・小澤エレクトロニクス研究助成
平成11年度C&C財団若手研究員助成
